SK Hynix Kembangkan Memori DDR5 1c Pertama di Industri

SK Hynix telah mengumumkan hasil pengembangan memori DDR5 16GB pertama di industri yang menggunakan node 1c, yang merupakan generasi ke-6 dari proses 10nm. Keberhasilan perusahaan dalam mengembangkan memori dengan node 1c ini menandakan dimulainya penskalaan ekstrem ke level yang mendekati 10nm dalam teknologi proses memori.

Tingkat kesulitan untuk memajukan proses penyusutan teknologi DRAM rentang 10nm telah berkembang dari generasi ke generasi, dan sepertinya SK Hynix telah menjadi perusahaan pertama di industri yang mampu mengatasi keterbatasan teknologi tersebut dengan meningkatkan tingkat penyelesaian dalam desain, berkat teknologi terdepan di industri dari 1b, generasi kelima dari proses 10 nm.

DRAM dengan proses 1b telah diakui secara luas memberikan performa terbaik untuk DRAM dengan lebih efisien, dan kini teknologi proses tersebut pun dilanjutkan melalui pengembangan proses 1c. Produk terbaru mendatang akan hadir dengan peningkatan dari segi efisiensi biaya dibandingkan dengan generasi sebelumnya, dan bisa tercapai dengan mengadopsi material baru dalam proses tertentu dari ultraviolet ekstrem, atau EUV, sekaligus mengoptimalkan proses aplikasi EUV secara total.

Kecepatan operasi 1c DDR5 yang diharapkan akan diadopsi untuk pusat data berkinerja tinggi, ditingkatkan sebesar 11% dari generasi sebelumnya menjadi 8Gbps. Efisiensi daya yang ditingkatkan lebih dari 9% ini diharapkan akan membantu pusat data bisa mengurangi biaya listrik hingga 30% ketika era AI telah menyebabkan konsumsi daya tinggi.

Melansir Techpowerup, SK Hynix menyebutkan bahwa pihak perusahaan akan siap untuk melakukan produksi massal DDR5 1c dalam tahun ini untuk memulai pengiriman volume tahun depan.