Samsung Kembangkan Chip Memori FeFET, Lebih Hemat Daya Hingga 96%!
Samsung baru saja mengumumkan teknologi chip memori non-volatile baru yang bisa jadi terobosan besar di dunia semikonduktor. Teknologi ini disebut Ferroelectric Field-Effect Transistor atau FeFET yang diklaim mampu meningkatkan kapasitas penyimpanan tanpa menambah konsumsi daya. Bakal gantikan NAND di masa depan?
Sebagai gambaran, masalah utama pada chip NAND adalah konsumsi dayanya yang tinggi. Struktur NAND membuat beberapa sel memori saling terhubung, sehingga ketika membaca satu data, daya juga harus dialirkan ke sel lainnya. Akibatnya, semakin besar kapasitas chip, semakin tinggi pula daya yang dibutuhkan.
Untuk mengatasi hal itu, tim riset Samsung menciptakan sistem baru berbasis FeFET dengan material ferolektrik kombinasi dari hafnia dan zirkonium. Material ini bisa mempertahankan muatan listriknya meski tidak terhubung daya, membuatnya lebih efisien dan stabil. Hasilnya, chip FeFET dapat menyimpan hingga lima bit data per sel dengan konsumsi daya yang sangat rendah.
Dari hasil uji coba, teknologi ini diklaim mampu memangkas penggunaan daya hingga 96% dibandingkan chip NAND biasa. Menariknya, FeFET juga tetap bekerja stabil dalam desain tiga dimensi yang sangat kecil bahkan di ukuran 25 nanometer. Ini membuka peluang besar untuk menciptakan chip yang lebih padat, cepat, dan hemat energi di masa depan.
Samsung menyebut FeFET sebagai teknologi memori (non-volatile) masa depan dengan keunggulan kapasitas besar dan efisiensi daya luar biasa. Untuk saat ini memang masih dalam tahap riset, tapi jika benar-benar diterapkan ke produk komersial, chip ini bisa jadi solusi ideal untuk bagi industri AI yang membutuhkan penyimpanan berkapasitas besar.
More Articles
