Direct Release: Toshiba Memory dan Western Digital Merayakan Pembukaan FAB 6 dan Pusat R&D Memory Di Yokkaichi, Jepang

Jakarta, 25 Sept 2018 – Toshiba Memory Corporation dan Western Digital Corporation (NASDAQ: WDC) hari ini merayakan pembukaan fasilitas fabrikasi semikonduktor canggih, Fab 6, dan Pusat R&D Memory yang beroperasi di Yokkaichi pada Prefektur Mie, Jepang.

Toshiba Memory memulai pembangunan Fab 6, sebuah fasilitas yang didedikasikan untuk membuat fabrikasi 3D flash memory, pada Februari 2017. Toshiba Memory dan Western Digital telah menginstalasi peralatan manufaktur tercanggih untuk proses-proses produksi utama, termasuk deposition dan etching. Produksi massal dari 3D flash memory 96-layer yang memanfaatkan fasilitas fab baru ini telah dimulai sejak awal bulan ini.

Permintaan memory 3D flash terus berkembang bagi server-server enterprise, pusat-pusat data dan smartphone, dan diharapkan akan terus meluas ditahun-tahun mendatang. Investasi lebih lanjut untuk mengembangkan produksi memory tersebut akan dibuat sejalan dengan tren-tren pasar.

Pusat R&D Memory, terletak bersebelahan dengan Fab 6, mulai beroperasi pada Maret tahun ini yang akan terus bereksplorasi dan mendorong kemajuan-kemajuan dalam pengembangan 3D flash memory.

Toshiba Memory dan Western Digital akan terus mengembangkan dan memperluas kepemimpinannya pada bisnis memory dengan secara aktif mengembangkan berbagai inisiatif yang bertujuan untuk memperkuat tingkat kompetisi, mempercanggih pengembangan bersama 3D flash memory, dan membuat investasi-investasi modal berdasarkan tren pasar.

Dr. Yasuo Naruke, President and CEO of Toshiba Memory mengatakan, “Kami bersemangat dengan kesempatan untuk memperluas pasar untuk 3D flash memory generasi terbaru kami. Fab 6 dan Pusat R&D Memory membuat kami bisa untuk menjaga posisi sebagai pemain terdepan pada pasar 3D flash memory. Kami percaya diri bahwa kerjasama kami dengan Western Digital akan memungkinkan kami untuk terus memproduksi memory tercanggih di Yokkaichi.”

“Kami senang membuka Fab 6 dan Pusat R&D Memory dengan mitra berharga kami, yaitu Toshiba Memory. Hampir selama dua dekade, kolaborasi sukses antara kami telah membantu perkembangan dan inovasi teknologi flash NAND,” kata Steve Milligan, Chief Executive Officer, Western Digital. “Kami memproduksi 3D NAND 96-layer ini untuk menjawab berbagai kesempatan pada semua segmen pasar, dari konsumer dan aplikasi mobile hingga pusat-pusat data cloud. Fab 6 adalah fasilitas canggih yang akan membuat kami bisa untuk lebih jauh lagi menjadi pemimpin dalam hal teknologi di industri.”