CXMT Akhirnya Bikin Memori HBM3E, Tapi 3 dari 4 Produksi Masih Cacat

CXMT akhirnya mulai memproduksi memori berjenis HBM3E, meskipun sepertinya masih banyak PR yang harus dikerjakan sebelum bisa diproduksi dalam jumlah banyak. Produsen memori asal China itu dilaporkan hanya mendapatkan yield sekitar 25 persen, yang berarti sekitar tiga dari setiap empat stack HBM3E yang dibuat mengalami cacat.

HBM3E sendiri merupakan jenis memori berkecepatan tinggi yang banyak digunakan untuk GPU dan akselerator AI. Memori ini merupakan pengembangan dari HBM3 dengan bandwidth lebih tinggi, sementara chip DRAM-nya ditumpuk secara vertikal agar bisa menyediakan bandwidth besar dalam paket yang relatif ringkas.

CXMT sendiri memang baru menjalankan risk production HBM3E dalam jumlah terbatas. Dibandingkan Samsung, SK hynix, dan Micron yang sudah bergerak ke generasi HBM lebih baru, CXMT masih tertinggal dan harus memperbaiki proses produksinya terlebih dahulu.

Penyebab Yield Rate Memori HBM3E CXMT Rendah

Penyebab utamanya diduga berkaitan dengan through-silicon via (TSV). Teknologi ini dipakai untuk menghubungkan lapisan-lapisan DRAM yang ditumpuk menjadi satu paket HBM, sehingga proses produksinya jauh lebih rumit dibandingkan membuat DRAM konvensional.

Jumlah TSV juga cukup besar. Samsung menggunakan sekitar 5.000 TSV per layer pada HBM2, sedangkan SK hynix memakai lebih dari 8.000 TSV per layer pada HBM3. CXMT sendiri dilaporkan mencoba membuat HBM3E 8-Hi dengan sekitar 3.000 TSV per layer.

Baca Juga: Pegawai Cukai Curi Komponen PC Kantor, Lalu Dijual • Jagat Review

Kondisi tersebut membuat CXMT kemungkinan belum bisa buru-buru untuk membawa konfigurasi lapisan DRAM yang lebih banyak, untuk mendapatkan kapasitas lebih besar. Perusahaan masih harus menyelesaikan persoalan engineering pada proses stacking sebelum bisa meningkatkan produksi.

Meski begitu, yield 25 persen belum berarti CXMT gagal di bisnis HBM. Samsung sendiri dilaporkan pernah punya yield HBM4 sekitar 60 persen pada Februari, lalu meningkat menjadi sekitar 80 persen enam bulan kemudian.

CXMT juga sudah menunjukkan kemampuan yang jauh lebih baik pada DRAM konvensional, dengan yield sekitar 90 persen. Angka tersebut hanya sekitar 2–3 persen di bawah yield Samsung pada proses 10 nm untuk produksi DDR5.

Artinya, masalah CXMT saat ini lebih spesifik pada proses menumpuk DRAM menggunakan TSV. CXMT masih punya ruang untuk memperbaiki yield, tetapi kemungkinan membutuhkan beberapa waktu lagi sebelum HBM3E siap diproduksi dalam volume besar.

Sumber