IBM Umumkan Teknologi Memori Baru

Pengembang di IBM mengumumkan bahwa mereka telah menciptakan teknologi memori baru, Phase Change Memory, yang disebut akan membawa keuntungan ketika diaplikasikan di berbagai perangkat. Phase Change Memory (PCM) ini akan menawarkan berbagai keunggulan bila dibandingkan memori saat ini, termasuk DRAM dan NAND Flash. IBM juga menyebutkan bahwa memori baru ini cocok untuk mendorong perkembangan perangkat mobile dan IoT saat ini.

PCM sendiri disebut memiliki karakteristik yang menarik, dengan kecepatan baca-tulis yang tinggi, kepadatan data tinggi, dan daya tahan yang baik. Terkait kepadatan data, PCM disebut bisa mengakomodasi tiga bit data per sel, mirip dengan NAND Flash TLC yang banyak digunakan SSD saat ini. Selain itu, tidak seperti DRAM yang kehilangan data saat tidak ada aliran listrik, PCM tidak kehilangan data saat tidak ada aliran listrik.

IBM menyebutkan, PCM ini bisa dikombinasikan dengan NAND Flash untuk storage di perangkat smartphone. PCM akan berfungsi sebagai cache, dan karena sifatnya yang tidak kehilangan data saat tidak ada aliran listrik, sistem operasi bisa juga disimpan di PCM ini. Berbekal kecepatan baca-tulis tinggi yang ditawarkannya, sistem operasi di perangkat mobile bisa di-load dalam waktu sangat singkat.

Selain perangkat mobile, PCM ini disebut juga akan membawa keunggulan untuk penerapan di lingkungan enterprise, terutama untuk database server. Penggunaan PCM untuk menampung file database membuat akses cepat ke berbagai data di dalamnya dimungkinkan. Hanya saja, IBM belum menyebutkan kapan teknologi memori ini bisa digunakan secara luas.